産総研関東室メルマガ2017 Vol.3

2017年02月02日

■□■　プレスリリース・主な研究成果　■□■



2/1発表◆
高い安全性と信頼性を実現した小型全固体リチウム二次電池を開発
－単結晶の固体電解質により、酸化物系で世界最高性能の導電率を実現－
《ポイント》
・単結晶を固体電解質部材として用いることで、内部短絡しない全固体リチウム二次電池を実現
・産総研オリジナルの常温製膜技術であるAD法により強固な電極－電解質界面を形成
・化学的に安定な酸化物系材料からなる安全な小型全固体電池として産業応用に期待
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170201/pr20170201.html

1/31発表◆
安定なイオンが周囲の原子の電子をキャッチ＆リリース！
－Ｘ線照射による生体分子損傷の機構解明に貢献－
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170131/pr20170131.html

1/26発表◆
光照射でナノ炭素材料の高純度な薄膜を簡便に形成
－ナノ炭素を活用する次世代電子材料の製造効率が格段に向上－
《ポイント》
・単層CNTなどのナノ炭素材料の分散液に光照射するだけで高純度な薄膜を作製できる技術を開発
・ガラス、樹脂、ゴムなどのさまざまな基材上に、簡便にナノ炭素からなる薄膜のパターニングが可能
・薄膜化とパターニングの工程が大幅に短縮され、次世代電子デバイスの開発促進に期待
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170126_2/pr20170126_2.html
（YouTube産総研チャンネル　関連動画）
https://youtu.be/eHQhw5uwG24

1/26発表◆
パワーデバイス内部の電界を正確に計測することに成功
－さらなる省エネ化に期待－
《ポイント》
・窒素－空孔センターの電子スピンレベルの変化を使った新たな電界センサーを開発し、デバイス内部の電界を直接観察することに成功した。
・原子レベルセンサーをデバイス内部に形成することで、デバイス性能を損なわず、定量的かつ高空間分解能計測を実現した。
・ワイドバンドギャップ半導体による省エネルギーパワーデバイス開発の促進が期待できる。
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170126/pr20170126.html

1/19発表◆
サンゴの骨格形成の高精度な可視化に成功
－サンゴは能動的に体内のpHを調整して成長する－
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170119/pr20170119.html